Tranzystory doświadczalne i prototypowe

z lat 50 XX w.

TP, TW, TM

Tranzystory doświadczalne i prototypowe z lat 50 opracowane w Zakładzie Elektroniki IPPT PAN.
Typ Rodzaj
Rok wprowadzenia
Parametry dopuszczalne Parametry charakterystyczne  
TP1 Germanowy PNP ostrzowy
1953
fT=0.3MHz; Wykonano kilkaset sztuk. Były bardzo nietrwałe, prawdopodobnie nie zachowały się.

TP2
Germanowy PNP ostrzowy 1954 P=50mW; UCE=30V; IC=10mA; fT=1MHz; kp=17dB Wykonano kilkaset sztuk. Nie wiadomo czy zachowały się sprawne egzemplarze.
TP3 Germanowy PNP ostrzowy 1954 P=50mW; UCE=30V; IC=10mA; fT=1MHz; kp=20dB Wykonano kilkaset sztuk. Nie wiadomo czy zachowały się sprawne egzemplarze.
TW1 Germanowy PNP stopowy P=50mW; UCE=6V fT=0.25MHz h21e=15
TM2 Germanowy PNP stopowy P=2W; UCE=20V; IC=1A; fT=0.15MHz h21e=15

TZG1 - TZG6

Doświadczalne tranzystory Przemysłowego Instytutu Elektroniki
Typ Rodzaj
Rok wprowadzenia
Parametry dopuszczalne Parametry charakterystyczne  
TZG1 Germanowy PNP złączowy 1957 P=50mW; UCE=20V; IC=5mA; fT=0.1MHz; h21b=0.85..0.95 Wyprodukowane w niewielkiej liczbie, nie wiem czy zachowały się do dziś.
TZG2 Germanowy PNP złączowy 1957 P=50mW; UCE=20V; IC=5mA; fT=0.1MHz; h21b=0.95..0.98 Wyprodukowane w niewielkiej liczbie, nie wiem czy zachowały się do dziś.
TZG3 Germanowy PNP złączowy 1957 P=50mW; UCE=20V; IC=5mA; fT=0.1MHz; h21b≥0.98 Wyprodukowane w niewielkiej liczbie, nie wiem czy zachowały się do dziś.
TZG4 Germanowy PNP złączowy 1957 P=50mW; UCE=20V; IC=5mA; fT=0.1MHz; h21b≥0.98; F≤10dB Wyprodukowane w niewielkiej liczbie, nie wiem czy zachowały się do dziś.
TZG5 Germanowy PNP złączowy 1957 P=50mW; UCE=20V; IC=5mA; fT=0.5MHz; h21b≥0.9 Wyprodukowane w niewielkiej liczbie, nie wiem czy zachowały się do dziś.
TZG6 Germanowy PNP złączowy 1957 P=50mW; UCE=20V; IC=5mA; fT=1MHz; h21b≥0.98 Wyprodukowane w niewielkiej liczbie, nie wiem czy zachowały się do dziś.

TZ5 - TZ11

Doświadczalne tranzystory produkowane w Przemysłowym Instytucie Elektroniki pod koniec lat 50.
Typ Rodzaj
Rok wprowadzenia
Parametry dopuszczalne Parametry charakterystyczne  
TZ5 Germanowy PNP stopowy P=25mW; UCE=10V; IC=10mA; tJ=56oC fT=0.7MHz; ICB0<15μA; h21b=0.94..0.98; F≤30dB Wyprodukowane w niewielkiej liczbie, nie wiem czy zachowały się do dziś.
TZ6 Germanowy PNP stopowy P=25mW; UCE=10V; IC=10mA; tJ=56oC fT=0.7MHz; ICB0<15μA; h21b=0.94..0.98; F≤30dB Wyprodukowane w niewielkiej liczbie, nie wiem czy zachowały się do dziś.
TZ7 Germanowy PNP stopowy P=25mW; UCE=10V; IC=10mA; tJ=56oC fT=0.3MHz; ICB0<15μA; h21b=0.94..0.999; F≤30dB Wyprodukowane w niewielkiej liczbie, nie wiem czy zachowały się do dziś.
TZ8 Germanowy PNP stopowy P=25mW; UCE=10V; IC=10mA; tJ=56oC fT=0.7MHz; ICB0<15μA; h21b=0.98..0.999; F≤15dB Wyprodukowane w niewielkiej liczbie, nie wiem czy zachowały się do dziś.
TZ9 Germanowy PNP stopowy P=25mW; UCE=10V; IC=10mA; tJ=56oC fT=0.7MHz; ICB0<15μA; h21b=0.98..0.999; F≤15dB Wyprodukowane w niewielkiej liczbie, nie wiem czy zachowały się do dziś.
TZ10 Germanowy PNP stopowy P=25mW; UCE=10V; IC=10mA; tJ=56oC fT=0.7MHz; ICB0<15μA; h21b=0.98..0.999; F≤15dB Wyprodukowane w niewielkiej liczbie, nie wiem czy zachowały się do dziś.
TZ11 Germanowy PNP stopowy P=25mW; UCE=10V; IC=10mA; tJ=56oC fT=0.7MHz; ICB0<15μA; h21b=0.98..0.999; F≤10dB Wyprodukowane w niewielkiej liczbie, nie wiem czy zachowały się do dziś.

Tranzystory produkowane przemysłowo

do roku 1970.

TC11 - TC15

Krótka seria tranzystorów produkowana w Doświadczalnym Zakładzie Półprzewodników Instytutu Łączności pod koniec lat 50.
Typ Rodzaj
Rok wprowadzenia
Parametry dopuszczalne Parametry charakterystyczne  
TC11 Germanowy PNP stopowy P=50mW; UCE=15V; IC=10mA; fT=1MHz; ICB0<30μA; h21e=9..19; F≤30dB Wyprodukowane w niewielkiej liczbie, zachowały się pojedyncze egzemplarze.
TC12 Germanowy PNP stopowy Wyprodukowane w niewielkiej liczbie, nie wiem czy zachowały się do dziś.
TC13 Germanowy PNP stopowy Wyprodukowane w niewielkiej liczbie, zachowały się pojedyncze egzemplarze.
TC12 Germanowy PNP stopowy Wyprodukowane w niewielkiej liczbie, nie wiem czy zachowały się do dziś.
TC15 Germanowy PNP stopowy P=50mW; UCE=15V; IC=10mA; fT=1MHz; ICB0<20μA; h21e>50; F≤30dB Wyprodukowane w niewielkiej liczbie, zachowały się pojedyncze egzemplarze.

TG1 - TG21

Pierwsza seria tranzystorów małej mocy, małej i średniej częstotliwości produkowana masowo w fabryce TEWA. Karty katalogowe: TG1, TG2,3A,3F,4,5,8, TG9, TG10, TG11, TG20, TG21. Występowały w różnych wersjach obudowy.
Typ Rodzaj
Rok wprowadzenia
Parametry dopuszczalne Parametry charakterystyczne  
TG1 Germanowy PNP stopowy 1960 P=75mW; UCE=10V; IC=10mA; tJ=60oC fT=0.3MHz; ICB0<15μA; h21e=9..20; F≤30dB Cena zbytu 9zł (1963), detaliczna 12zł (1963).
Najgorszy tranzystor z serii, szybko wyszedł z produkcji, dziś dosyć rzadko spotykany.
Tranzystor TG2
TG2
Germanowy PNP stopowy 1960 P=75mW; UCE=15V; IC=10mA; tJ=75oC fT=0.6MHz; ICB0<15μA; h21e=20..80; F≤30dB; UCEsat<0.15V (IC/IB=10/0.5 mA/mA) Cena zbytu 12zł (1963), detaliczna 15zł (1963).
Popularny raczej wśród amatorów niż w urządzeniach, później dosyć rzadki.
Tranzystor TG3A
TG3A
Germanowy PNP stopowy P=75mW; UCE=15V; IC=10mA; tJ=75oC fT=1MHz; ICB0<15μA; h21e=80..120; UCEsat<0.08V (IC/IB=10/0.5 mA/mA) Cena zbytu 19zł (1963), detaliczna 26zł (1963).

TG3F
Germanowy PNP stopowy P=75mW; UCE=15V; IC=10mA; tJ=75oC fT=2MHz; ICB0<10μA; h21e=80..250; F≤10dB; UCEsat<0.07V (IC/IB=10/0.5 mA/mA) Najlepszy tranzystor serii, raczej rzadko spotykany.
Tranzystor TG4
TG4
Germanowy PNP stopowy 1960 P=75mW; UCE=15V; IC=10mA; tJ=75oC fT=0.6MHz; ICB0<10μA; h21e=25..90; F≤10dB; UCEsat<0.11V (IC/IB=10/0.5 mA/mA) Cena zbytu 16zł (1963), detaliczna 22zł (1963).
Tranzystor "niskoszumny".
Tranzystor TG5
TG5
Germanowy PNP stopowy 1960 P=75mW; UCE=30V; IC=10mA; tJ=75oC fT=0.8MHz; ICB0<15μA; h21e=25..80; F≤15dB; UCEsat<0.1V (IC/IB=10/0.5 mA/mA) Cena zbytu 16zł (1963).
Cena detaliczna 26zł (1963).
Bardzo popularny.

TG5E
Germanowy PNP stopowy P=75mW; UCE=15V; IC=10mA; tJ=75oC fT=0.8MHz; ICB0<15μA; h21e=25..80; F≤15dB; UCEsat<0.1V (IC/IB=10/0.5 mA/mA) Spotykany rzadko.
TG6 Germanowy PNP stopowy 1960 P=75mW; UCE=30V; IC=10mA; tJ=75oC fT=0.8MHz; ICB0<15μA; h21e=25..80; F≤30dB

TG8
Germanowy PNP stopowy P=75mW; UCE=60V; IC=10mA; tJ=75oC fT=0.6MHz; ICB0<15μA; h21e=20..80; UCEsat<0.2V (IC/IB=10/0.5 mA/mA) Cena zbytu 31zł (1963).
Tranzystor wysokonapięciowy, rzadki.

TG9
Germanowy PNP stopowy P=75mW; UCE=15V; ICMmax=125mA; tJ=75oC fT=1.5MHz; ICB0<5μA; h21e≥10 Cena zbytu 30zł, detaliczna 38zł (1963). Impulsowy.

TG10
Germanowy PNP stopowy 1961 P=75mW; UCB=15V; UCE=5V; IC=5mA; tJ=75oC fT>3MHz; ICB0<15μA; h21e>20 Cena zbytu 57zł (1963).
Cena detaliczna 72 zł (1962).
Przeznaczony do wzmacniaczy p.cz. AM. Szybko wyszedł z produkcji, rzadko spotykany.

TG11
Germanowy PNP stopowy UCE=15V fT>2MHz; h21e>10 Impulsowy, rzadko spotykany.

TG20
Germanowy PNP stopowy 1961 P=75mW; UCE=15V; IC=10mA; tJ=75oC fT>7MHz; ICB0<15μA; h21e>20 Cena zbytu 64zł (1963).
Cena detaliczna 81zł (1962).
Przeznaczony do wzmacniacza i mieszacza na falach długich i średnich. Szybko wyszedł z produkcji, rzadko spotykany.

TG21
Germanowy PNP stopowy P=75mW; UCE=15V; IC=50mA; tJ=75oC fT>7MHz; ICB0<5μA; h21e>20 Impulsowy. Szybko wyszedł z produkcji, rzadko spotykany.

AC361

Tranzystor małej mocy o niskich szumach. Obudowa TO5. Karta katalogowa.
Typ Rodzaj
Rok wprowadzenia
Parametry dopuszczalne Parametry charakterystyczne  
AC361 Germanowy PNP stopowy PC=150mW; UCE=15V; IC=100mA; tJ=75oC fT>2.5MHz; ICB0<15μA; h21e=20..80; F≤6dB; Produkowany bardzo krótko przy końcu lat 60.

TG50 - TG55

Tranzystory średniej mocy, małej częstotliwości produkowane w fabryce TEWA. Karty katalogowe. Występowały w różnych wersjach obudowy.
Typ Rodzaj
Rok wprowadzenia
Parametry dopuszczalne Parametry charakterystyczne
Tranzystor TG50
TG50
Germanowy PNP stopowy 1961 P=175mW; UCE=30V; IC=150mA; tJ=75oC fT>0.5MHz; ICB0<20μA; h21e=25..120; UCEsat<0.15V (IC/IB=100/5 mA/mA) Cena zbytu 18zł, detaliczna 23zł (1963), Para: cena zbytu 38zł, detaliczna 51zł (1964)
Bardzo popularny.
TG50E
TG50E
Brak informacji w katalogach, spotykany rzadko.
Tranzystor TG51
TG51
Germanowy PNP stopowy 1962 P=175mW; UCE=60V; IC=150mA; tJ=75oC fT>0.5MHz; ICB0<20μA; h21e=15..120 Cena zbytu 36zł, detaliczna 46zł (1963), Wysokonapięciowy do przetwornic.
Tranzystor TG52
TG52
Germanowy PNP stopowy 1961 P=175mW; UCE=30V; IC=150mA; tJ=75oC fT>0.5MHz; ICB0<20μA; h21e=25..120 Cena zbytu 18zł, detaliczna 23zł (1963).
Do przetwornic.
Tranzystor TG53
TG53
Germanowy PNP stopowy 1961 P=175mW; UCE=15V; IC=150mA; tJ=75oC fT>0.5MHz; ICB0<20μA; h21e=25..120 Cena zbytu 14zł, detaliczna 18zł (1963), Para: cena zbytu 30zł, detaliczna 40zł (1964)
Tranzystor TG55
TG55
Germanowy PNP stopowy 1963 P=175mW; UCE=30V; IC=150mA; tJ=75oC fT>0.5MHz; ICB0<20μA; h21e=25..120; h21e(0.7V,250mA)/h21e(0.7V,10mA)≥0.5; UCEsat<0.15V (IC/IB=100/5 mA/mA) Cena zbytu 23zł, detaliczna 38zł (1963), Para: cena zbytu 48zł, detaliczna 85zł (1964).

TG60

Tranzystory średniej mocy małej częstotliwości produkowane w fabryce TEWA. Karty katalogowe.
Typ Rodzaj
Rok wprowadzenia
Parametry dopuszczalne Parametry charakterystyczne  

TG60
póżniej AD365 i ADP665
Germanowy PNP stopowy 1963 P=5W(tcase=25oC); UCE=15V; IC=1.5A; tJ=75oC fT>0.1MHz; ICB0<50μA; h21e=20..120 Cena zbytu 65zł, detaliczna 82zł (1964), Para: cena zbytu 132zł, detaliczna 180zł (1964).
TG61
póżniej AD366 i ADP666
Germanowy PNP stopowy P=5W(tcase=25oC); UCE=30V; IC=1.5A; tJ=75oC fT>0.1MHz; ICB0<50μA; h21e=20..120

TG70 - TG73

Tranzystory dużej mocy małej częstotliwości produkowane w fabryce TEWA. Karty katalogowe.
Typ Rodzaj
Rok wprowadzenia
Parametry dopuszczalne Parametry charakterystyczne  
Tranzystor TG70
TG70
póżniej ADP670 i ADAP70
Germanowy PNP stopowy 1960 P=10W(tcase=25oC); UCE=30V; IC=1.5A; tJ=75oC fT>0.1MHz; ICB0<100μA; h21e=30..200 Cena zbytu 210zł (1963), 75zł (1964), detaliczna 115zł (1964).
Para: cena zbytu 160zł, detaliczna 260zł (1964).
Popularny, produkowany jeszcze na początku lat 70.
Tranzystor ADP671 TG71
póżniej ADP671 i ADAP71
Germanowy PNP stopowy P=10W(tcase=25oC); UCE=20V; IC=1.5A; tJ=75oC fT>0.1MHz; ICB0<100μA; h21e=30..200 Cena zbytu 65zł, detaliczna 82zł (1963). Para: cena zbytu 138zł, detaliczna 180zł (1964).

TG72
póżniej ADP672 i ADAP72
Germanowy PNP stopowy P=10W(tcase=25oC); UCE=60V; IC=1.5A; tJ=75oC fT>0.1MHz; ICB0<100μA; h21e=30..200 Cena zbytu 150zł, detaliczna 220zł (1964). Para: cena zbytu 310zł, detaliczna 500zł (1964).
TG73 UCE0=92V (wartość zmierzona) fT=0.11MHz (wartość zmierzona) Nie występuje w żadnych katalogach ani źródłach pisanych. Bardzo rzadki.

TG37 - TG41

Tranzystory małej mocy wielkiej częstotliwości produkowane w fabryce TEWA. Występowały w różnych wariantach obudowy.
Typ Rodzaj
Rok wprowadzenia
Parametry dopuszczalne Parametry charakterystyczne  
Tranzystor TG37
TG37
Germanowy PNP stopowo-dyfuzyjny P=50mW; UCE=15V; IC=10mA; fT>40MHz; h21e≥20
TG38
Germanowy PNP stopowo-dyfuzyjny P=50mW; UCE=15V; IC=10mA; fT>20MHz; ICB0<15μA; h21e≥20 Cena zbytu 25zł, detaliczna 32zł (1964).
Tranzystor TG39
TG39
Germanowy PNP stopowo-dyfuzyjny P=50mW; UCE=15V; IC=10mA; fT>40MHz; ICB0<15μA; h21e≥20; C12e=10pF Cena zbytu 30zł, detaliczna 44zł (1964).
Tranzystor TG40
TG40
Germanowy PNP stopowo-dyfuzyjny P=50mW; UCE=15V; IC=10mA; fT>40MHz; ICB0<15μA; h21e≥20; C12e=6pF Cena zbytu 35zł, detaliczna 51zł (1964).
TG41
Germanowy PNP MESA 1964 P=50mW; UCE=25V; IC=10mA; fT>150MHz; h21e≥20; Bardzo rzadko spotykany (o ile rzeczywiście istniał).

AF426 - AF430

Tranzystory małej mocy wielkiej częstotliwości produkowane w fabryce TEWA. Zastąpiły tranzystory TG37-TG40. Karty katalogowe.
Typ Rodzaj
Rok wprowadzenia
Parametry dopuszczalne Parametry charakterystyczne  

AF426
Germanowy PNP stopowo-dyfuzyjny P=50mW; UCE=20V; IC=10mA; fT>40MHz; ICB0<15μA; h21e=30..300; C12e=1.5pF

AF427
Germanowy PNP stopowo-dyfuzyjny P=50mW; UCE=20V; IC=10mA; fT>40MHz; ICB0<15μA; h21e=30..300; C12e=1.8pF
Tranzystor AF428
AF428
Germanowy PNP stopowo-dyfuzyjny P=50mW; UCE=20V; IC=10mA; fT>40MHz; ICB0<15μA; h21e=30..300; C12e=2.4pF
Tranzystor AF429
AF429
Germanowy PNP stopowo-dyfuzyjny P=50mW; UCE=20V; IC=10mA; fT>40MHz; ICB0<15μA; h21e=30..300; C12e=2.4pF
Tranzystor AF430
AF430
Germanowy PNP stopowo-dyfuzyjny P=50mW; UCE=20V; IC=10mA; fT>40MHz; ICB0<15μA; h21e=30..300; C12e=4pF

AF416 - AF417

Tranzystory małej mocy wielkiej częstotliwości produkowane w fabryce TEWA.
Typ Rodzaj
Rok wprowadzenia
Parametry dopuszczalne Parametry charakterystyczne  
AF416 Germanowy PNP stopowo-dyfuzyjny P=50mW; UCE=20V fT>40MHz; ICB0<8μA; h21e&30; rbb'CC=≤250ps ???
AF417 Germanowy PNP stopowo-dyfuzyjny P=50mW; UCE=20V fT>40MHz; ICB0<8μA; h21e&30; rbb'CC=≤250ps ???

AF514 - AF516

Tranzystory małej mocy wielkiej częstotliwości produkowane w fabryce TEWA. Zastąpiły tranzystor TG41. Karty katalogowe: AF514, AF515, AF516.
Typ Rodzaj
Rok wprowadzenia
Parametry dopuszczalne Parametry charakterystyczne  
AF514 Germanowy PNP MESA 1967 P=50mW; UCE=12V; IC=10mA; fT>150MHz; h21e≥10; CC≤3pF; rbb'CC≤150ps Produkowany krótko, wycofany w 1968.

AF515
Germanowy PNP MESA 1967 P=50mW; UCE=15V; IC=10mA; fT>150MHz; h21e≥10; CC≤3pF; rbb'CC≤60ps Produkowany krótko, wycofany w 1968.
AF516 Germanowy PNP MESA 1968 P=50mW; UCE=18V; IC=10mA; fT>150MHz; h21e≥12; rbb'CC≤15ps; C12e=0.5pF; Produkowany krótko. Zastąpił typy AF514 i AF515 (notka).

ASY31 - ASY37

Tranzystory przełączające małej mocy produkowane w fabryce TEWA. Karty katalogowe: ASY31, ASY33, ASY34-36.
Typ Rodzaj
Rok wprowadzenia
Parametry dopuszczalne Parametry charakterystyczne  
Tranzystor ASY31 ASY31 Germanowy PNP stopowy P=75mW; UCE=10V; IC=200mA; fT>2MHz; ICB0<6μA; h21e=20..220 Produkowany krótko, rzadki. Tranzystory ASY31 innych producentów różnią się nieco parametrami.

ASY33
Germanowy PNP stopowy PC=150mW; UCE=10V; UCB=30V; IC=200mA; fT>2MHz; ICB0<6μA; h21e=20..200; UCEsat<0.2V (IC/IB=50/5 mA/mA) Rzadki.
Tranzystor ASY34
ASY34
Germanowy PNP stopowy P=150mW; UCE=10V; IC=200mA; fT>2MHz; ICB0<5μA; h21e=20..220; UCEsat<0.2V (IC/IB=50/3 mA/mA)
Tranzystor ASY35
ASY35
Germanowy PNP stopowy P=150mW; UCE=20V; IC=200mA; fT>3MHz; ICB0<6μA; h21e=30..300; UCEsat<0.2V (IC/IB=50/5 mA/mA)
Tranzystor ASY36
ASY36
Germanowy PNP stopowy P=150mW; UCE=20V; IC=200mA; fT>5MHz; ICB0<6μA; h21e=40..300; UCEsat<0.2V (IC/IB=50/3.5 mA/mA)
Tranzystor ASY37
ASY37
Germanowy PNP stopowy P=150mW; UCE=20V; IC=200mA; fT>10MHz; ICB0<6μA; h21e=60..250; UCEsat<0.2V (IC/IB=50/2.5 mA/mA)

BF504 - BF506

Krzemowe tranzystory małej mocy wielkiej częstotliwości produkowane w fabryce TEWA. Pierwsze polskie tranzystory krzemowe i pierwsze NPN. Karty katalogowe: BF504, BF505, BF506.
Typ Rodzaj
Rok wprowadzenia
Parametry dopuszczalne Parametry charakterystyczne  
BF504 Krzemowy NPN MESA 1967 P=250mW; UCE=15V; IC=50mA; tJ=150oC fT>100MHz; ICB0<2μA; h21e≥10 Produkowany krótko.
Tranzystor BF505
BF505
Krzemowy NPN MESA 1967 P=250mW; UCE=30V; IC=50mA; tJ=150oC fT>100MHz; ICB0<2μA; h21e≥10 Produkowany krótko. Cena detaliczna 160zł (1967).
Tranzystor BF506
BF506
Krzemowy NPN MESA 1967 P=250mW; UCE=45V; IC=50mA; tJ=150oC fT>100MHz; ICB0<2μA; h21e≥10 Produkowany krótko.

BF510 - BF511

Krzemowe tranzystory małej mocy wielkiej częstotliwości produkowane w fabryce TEWA. Karty katalogowe: BF510, BF511.
Typ Rodzaj
Rok wprowadzenia
Parametry dopuszczalne Parametry charakterystyczne
BF510 Krzemowy NPN epitaksjalno-planarny 1968 P=150mW; UCE=30V; IC=50mA fT>80MHz; ICB0<0.5μA; h21e≥20 Produkowany krótko. Nie należy mylić z BF510 innych producentów.
BF511 Krzemowy NPN epitaksjalno-planarny 1968 P=150mW; UCE=50V; IC=50mA fT>80MHz; ICB0<0.5μA; h21e≥20 Produkowany krótko. Nie należy mylić z BF511 innych producentów.

BC527 - BC528

Krzemowe tranzystory małej mocy małej częstotliwości produkowane w fabryce TEWA. Karty katalogowe.
Typ Rodzaj
Rok wprowadzenia
Parametry dopuszczalne Parametry charakterystyczne
Tranzystor BC528
BC528
później BCP528
Krzemowy NPN epitaksjalno-planarny 1969 P=300mW; UCE=20V; IC=50mA fT=150MHz; ICB0<0.5μA; h21e≥50..150; F≤10dB Popularny.
Tranzystor BC527
BC527
później BCP527
Krzemowy NPN epitaksjalno-planarny 1969 P=300mW; UCE=45V; IC=50mA fT=150MHz; ICB0<0.5μA; h21e≥50..150; F≤10dB Popularny.

BF519 - BF521

Krzemowe tranzystory małej mocy wielkiej częstotliwości produkowane w fabryce TEWA. Karty katalogowe.
Typ Rodzaj
Rok wprowadzenia
Parametry dopuszczalne Parametry charakterystyczne
Tranzystor BF519
BF519
później BFP519
Krzemowy NPN epitaksjalno-planarny P=300mW; UCE=50V; IC=50mA fT=150MHz; ICB0<0.1μA; h21e≥35..350; F≤10dB
Tranzystor BF520
BF520
później BFP520
Krzemowy NPN epitaksjalno-planarny P=300mW; UCE=30V; IC=50mA fT=150MHz; ICB0<0.1μA; h21e≥35..350; F≤10dB
BF521
później BFP521
Krzemowy NPN epitaksjalno-planarny P=300mW; UCE=15V; IC=50mA fT=150MHz; ICB0<0.1μA; h21e≥35..350; F≤10dB

BUY52 - BUY54

Krzemowe przełączające tranzystory dużej mocy średniej częstotliwości produkowane w fabryce TEWA. Pierwsze polskie krzemowe tranzystory mocy. Karty katalogowe.
Typ Rodzaj
Rok wprowadzenia
Parametry dopuszczalne Parametry charakterystyczne

BUY52
później BUYP52
Krzemowy NPN MESA 1969 P=50W; UCE=70V; IC=5A; tJ=150oC fT>10MHz; ICB0<5mA; h21e≥10

BUY53
później BUYP53
Krzemowy NPN MESA 1969 P=50W; UCE=50V; IC=5A; tJ=150oC fT>10MHz; ICB0<4mA; h21e≥10
BUY54
później BUYP54
Krzemowy NPN MESA 1969 P=50W; UCE=30V; IC=5A; tJ=150oC fT>10MHz; ICB0<3mA; h21e≥10

BSY52

Krzemowe tranzystory przełączające produkowane w fabryce TEWA. Jedne z pierwszych polskich tranzystorów epiplanarnych. Karta katalogowa.
Typ Rodzaj
Rok wprowadzenia
Parametry dopuszczalne Parametry charakterystyczne
BSY52
później BSXP87
Krzemowy NPN epitaksjano-planarny P=0.8W; UCE=15V; IC=0.5A; fT=100MHz; ICB0<0.1μA; h21e≥70 Nie należy mylić z BSY52 innych producentów. Odpowiednik 2N914.

Powrót do tranzystorowych różności